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氯化银被覆颗粒

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201880015339.5
  • IPC分类号:B22F1/00;B22F1/02
  • 申请日期:
    2018-03-02
  • 申请人:
    拓自达电线株式会社
著录项信息
专利名称氯化银被覆颗粒
申请号CN201880015339.5申请日期2018-03-02
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-10-22公开/公告号CN110366460A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F1/00IPC分类号B;2;2;F;1;/;0;0;;;B;2;2;F;1;/;0;2查看分类表>
申请人拓自达电线株式会社申请人地址
日本大阪府东大阪市岩田町2丁目3番1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人拓自达电线株式会社当前权利人拓自达电线株式会社
发明人登峠雅之
代理机构北京市安伦律师事务所代理人郭扬;韩景漫
摘要
本发明提供一种例如在配混于构成生物体用电极的导电膏中时,能够维持稳定的导电性,且削减银的使用量的氯化银被覆颗粒。其包含:在表面的至少一部分含有银的树突状的核;被覆所述核的表面的至少一部分的、由氯化银制成的氯化银被覆层。

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