一种用于离子镀枪装置的弧源头

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320090856.3
IPC分类号：C23C14/32
申请日期：
2013-02-28
申请人：
温州职业技术学院

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于离子镀枪装置的弧源头
申请号	CN201320090856.3	申请日期	2013-02-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕 C23C14/32 爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法（C23C 14/34至C23C 14/48优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;2查看分类表>
申请人	温州职业技术学院	申请人地址	江苏省苏州市相城经济技术开发区漕湖街道观塘路1号西交大漕湖科技园C幢1118室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	迈捷克纳米科技（苏州）有限公司	当前权利人	迈捷克纳米科技（苏州）有限公司
发明人	郎文昌
代理机构	沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张志伟

摘要

本实用新型涉及表面防护涂层制备领域，具体地说是一种用于离子镀枪装置的弧源头。包括靶材、靶材底座，靶材底部设有外螺纹，靶材通过底部外螺纹安装在靶材底座的靶材安装柱环套上，靶材底部与靶材底座冷却铜板紧密接触；靶材底座中设置有靶材底座冷却通道隔板，靶材底座冷却通道隔板将靶材底座中的空腔分成靶材底座冷却水上通道和靶材底座冷却水下通道，靶材底座冷却通道隔板中间的圆孔通过靶材底座冷却水进水管与冷却水进水管道连通。本实用新型靶材底座的结构紧凑简易，美观大方，节省空间，便于工业生产操作，用以改善传统电弧离子镀弧源结构复杂、适应性差、难以实现特殊镀膜需求、操作复杂、靶材更换难度大、位置可调性差的缺点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供