一种半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310410801.0
IPC分类号：H01L27/146;H01L21/8238
申请日期：
2013-09-10
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN201310410801.0	申请日期	2013-09-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104425522A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	韩秋华
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在其NMOS区和PMOS区上形成伪栅极结构；同时去除位于NMOS区和PMOS区的伪栅极结构中的牺牲介电层和牺牲栅极材料层以形成凹槽；在凹槽中形成高k介电层和第一金属栅极；形成仅覆盖NMOS区的硬掩膜层作为掩膜，去除位于PMOS区的第一金属栅极和高k介电层，在半导体衬底中形成沟道凹槽；在沟道凹槽的底部形成另一高k介电层和第二金属栅极，去除硬掩膜层。根据本发明，可以独立地调节分别形成于NMOS区和PMOS区的第一功函数设定金属层和第二功函数设定金属层的功函数，通过减少一次掩膜光刻工序降低去除牺牲介电层和牺牲栅极材料层的工艺成本，显著提升嵌入式锗硅层施加于PMOS区的沟道区的应力。

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