氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510156562.X
IPC分类号：C30B29/12;C30B11/00
申请日期：
2015-04-03
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利名称	氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法
申请号	CN201510156562.X	申请日期	2015-04-03
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106149051A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/12 卤化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市长宁区定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	姜大朋;苏良碧;钱小波;唐飞;徐军;王静雅;吴锋
代理机构	上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曹芳玲;姚佳雯

摘要

本发明涉及一种氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法，其中，炉体系统具备炉腔、中心设有开孔的炉底板、和与炉腔连通的真空管道，炉底板的中心开孔与炉腔的腔体贯通，炉腔和炉底板均为双层结构，中间夹层布置有冷却水道；加热保温系统设置于炉腔内，具备隔热板、分别位于隔热板的上下侧的加热器及保温屏，通过隔热板而形成上部高温区、中部梯度区和下部低温区三个温区；坩埚下降系统包括坩埚水冷支撑柱和坩埚下降传动装置，坩埚水冷支撑柱的下端与坩埚下降传动装置相连，上端穿过炉底板的中心开孔伸入炉腔的内部以支撑坩埚托架，坩埚水冷支撑柱内流通冷却水，坩埚水冷支撑柱的冷却水的流量及水温能够实时独立调控。

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