一种半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710087188.1
IPC分类号：H01L23/64
申请日期：
2017-02-17
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN201710087188.1	申请日期	2017-02-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-28	公开/公告号	CN108461482A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/64 阻抗装置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	张青淳
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有一电阻器件，所述电阻器件包括自下而上依次布置的第一覆盖层和第二覆盖层，其中所述第一覆盖层和第二覆盖层的电阻温度系数的正负性相反。根据本发明的半导体器件，第一覆盖层和第二覆盖层的电阻温度系数的正负相反，当调整第一覆盖层和第二覆盖层的厚度比时，可以使所述电阻器件获得不同的温度系数，使所述电阻器件的温度系数可在正值、零到负值之间可调。此外，这种半导体器件适用于对电阻温度系数的要求不同的器件中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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