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半导体存储元件和半导体装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02106437.7
  • IPC分类号:H01L27/105
  • 申请日期:
    2002-02-28
  • 申请人:
    株式会社日立制作所
著录项信息
专利名称半导体存储元件和半导体装置
申请号CN02106437.7申请日期2002-02-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-04-02公开/公告号CN1407625
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/105IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;0;5查看分类表>
申请人株式会社日立制作所申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社瑞萨科技当前权利人株式会社瑞萨科技
发明人长部太郎;石井智之
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王以平
摘要
提供半导体存储元件和半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中,由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出,使用的电压从正到负成为大电压。与此不同,通过将电荷蓄积在多个分散的微小晶区,能实现高可靠性。以该高可靠性为背景,不仅通过可靠性高的、将硅基板直接作成热氧化膜获得的氧化膜、而且通过用CVD法淀积的氧化膜等,能使电子移动,信息写入时及信息删除时用同一极性的电位进行控制。

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