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NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510882991.5
  • IPC分类号:H01L27/11524
  • 申请日期:
    2015-12-03
  • 申请人:
    上海复旦微电子集团股份有限公司
著录项信息
专利名称NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法
申请号CN201510882991.5申请日期2015-12-03
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2017-06-13公开/公告号CN106847819A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11524
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4查看分类表>
申请人上海复旦微电子集团股份有限公司申请人地址
上海市杨浦区国泰路127号复旦国家大学科技园4号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海复旦微电子集团股份有限公司当前权利人上海复旦微电子集团股份有限公司
发明人黄新运;肖磊;刘红霞;徐烈伟;沈磊;刘岐
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人吴圳添;吴敏
摘要
一种NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法。所述NAND闪存存储单元包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的第一鳍部;所述第一鳍部至少包括从下到上层叠的第一隔离层、第一叠层结构、第二隔离层和第二叠层结构;所述第一叠层结构包括第一源层、第一沟道层和第一漏层;所述第二叠层结构包括第二源层、第二沟道层和第二漏层。所述NAND闪存存储单元具有很好的工艺尺寸持续缩小能力,并且所述NAND闪存存储单元能够从器件结构上解决存储单元读取干扰的问题。同时,所述NAND闪存的形成方法简单,工艺成本降低。

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