晶体太阳能电池、用于制备晶体太阳能电池的方法以及用于制备太阳能电池模组的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201080041646.4
IPC分类号：H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/068
申请日期：
2010-09-17
申请人：
肖特太阳能控股公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶体太阳能电池、用于制备晶体太阳能电池的方法以及用于制备太阳能电池模组的方法
申请号	CN201080041646.4	申请日期	2010-09-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-06-13	公开/公告号	CN102498573A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8查看分类表>
申请人	肖特太阳能控股公司	申请人地址	德国美因茨变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	肖特太阳能控股公司	当前权利人	肖特太阳能控股公司
发明人	赫宁·纳格尔
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	车文;樊卫民

摘要

本发明涉及一种晶体太阳能电池(10)，其具有正面n型掺杂区(14)和背面p型掺杂区(16)、正面触点(18、20)、背面触点(24)和至少一个由SiN制成的正面第一层(22)。为了减少并联电阻的降级，而提出：在所述第一层与所述n型掺杂区之间布置有由选自SiN、SiOx、Al2Ox、SiOxNy:Hz、a-Si:H、TiOx的组的至少一种材料制成的或包含这样的材料的第二层(26)，并且对所述第二层(26)加以掺杂，用以形成缺陷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供