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再分布金属层及再分布凸点的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710094471.3
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2007-12-13
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称再分布金属层及再分布凸点的制作方法
申请号CN200710094471.3申请日期2007-12-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-06-17公开/公告号CN101459088
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人李润领;靳永刚
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
一种再分布金属层的制作方法,包括:提供表面具有钝化层的晶片,钝化层具有第一开口,焊盘位于第一开口内,所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层;在第一绝缘层上及第二开口内形成再分布金属层;在再分布金属层表面形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成与第二开口错开分布的第三开口,曝露出再分布金属层;通入不与再分布金属层反应的气体,去除第三开口内的第二绝缘层残渣。本发明还提供一种再分布凸点的制作方法。本发明通入不与再分布金属层反应的气体,去除第三开口内的第二绝缘层残渣。使再分布金属层不被气体腐蚀,保持完整,使后续制作的凸点的电性能及可靠性提高。

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