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双量子点纳米复合物一氧化氮比率荧光探针及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610327503.9
  • IPC分类号:C09K11/88;G01N21/64;B82Y20/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2016-05-17
  • 申请人:
    济南大学
著录项信息
专利名称双量子点纳米复合物一氧化氮比率荧光探针及其制备方法
申请号CN201610327503.9申请日期2016-05-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2016-08-24公开/公告号CN105885849A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K11/88IPC分类号C;0;9;K;1;1;/;8;8;;;G;0;1;N;2;1;/;6;4;;;B;8;2;Y;2;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人济南大学申请人地址
山东省济南市历下区经十路18877号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人济南大学当前权利人济南大学
发明人孙捷;李娜;王晓静;王兵;孙敬勇;吴忠玉;刘腾;李慧娟;李玲;秦桂芝;徐彩云
代理机构济南信达专利事务所有限公司代理人罗文曌
摘要
本发明公开了一种双量子点纳米复合物一氧化氮比率荧光探针及其制备方法,属于纳米技术及化学分析领域。该探针的制备方法包括以下步骤:(1)采用巯基丙酸稳定的CdSe量子点,与硅烷剂反应制得氨基表面功能化的CdSe@SiO2核壳复合物;(2)将巯基丙酸稳定的CdTe量子点分散液滴加至核壳复合物体系中,制得CdSe@SiO2‑CdTe纳米复合物;(3)向纳米复合物体系中通入NO,测定该体系的荧光发射光谱,拟合CdTe与CdSe双量子点的比率荧光强度与NO浓度之间的线性关系,构建基于CdSe@SiO2‑CdTe纳米复合物的NO比率荧光探针。与现有技术相比,本发明的荧光探针引入了比率荧光强度可显著提高NO探测的准确性和可行性,具有重要的应用价值。

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