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npn型InGaAs/InPDHBT外延层结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810103253.6
  • IPC分类号:H01L29/737;H01L29/43;H01L29/417
  • 申请日期:
    2008-04-02
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称npn型InGaAs/InPDHBT外延层结构
申请号CN200810103253.6申请日期2008-04-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-10-07公开/公告号CN101552284
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/737
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人金智;刘新宇
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明公开了一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)外延层结构,该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极,所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层。利用本发明,可避免载流子在超晶格结构中隧穿对运动速度的降低,能提高DHBT的频率特性,消除了InGaAs基极和InP集电极所形成的导带尖峰。

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