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在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410403748.6
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/265
  • 申请日期:
    2014-08-15
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法
申请号CN201410403748.6申请日期2014-08-15
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-11-26公开/公告号CN104167363A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人桑宁波;雷通
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王宏婧
摘要
本发明提供了一种在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法,包括:第一步骤,在硅片上形成Fin-FET器件的鳍;第二步骤,沉积一层介质层覆盖所述鳍作为虚拟栅极层,在虚拟栅极层上沉积硬掩模层和光刻胶进行光刻刻蚀以形成虚拟栅极;第三步骤,在栅极区域表面形成一层薄膜;第四步骤,刻蚀所述薄膜以形成覆盖虚拟栅极侧壁的侧墙保护层;第五步骤,沉积栅极氧化层和栅极;第六步骤,去除虚拟栅极,保留极氧化层和栅极以及侧墙保护层,并进行后续的离子注入工艺。

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