强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件

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专利名称	强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件
申请号	CN200310124653.2	申请日期	2003-12-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-08-11	公开/公告号	CN1519941
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	木岛健;滨田泰彰;名取荣治
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李香兰

摘要

一种强电介质薄膜，其特征在于，在薄膜面内，对于电场外加方向，180°区域和90°区域按同一角度旋转，由高取向多晶体构成，所述高取向多晶体的特征在于，在同一电场中反转。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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