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一种深紫外二极管外延片和芯片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320641361.5
  • IPC分类号:H01L33/40;H01L33/00
  • 申请日期:
    2013-10-17
  • 申请人:
    武汉光电工业技术研究院有限公司
著录项信息
专利名称一种深紫外二极管外延片和芯片
申请号CN201320641361.5申请日期2013-10-17
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/40IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人武汉光电工业技术研究院有限公司申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城C2栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉优炜星科技有限公司当前权利人武汉优炜星科技有限公司
发明人方妍妍;吴志浩;戴江南;陈长清
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人暂无
摘要
本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种深紫外二极管外延片。所述外延片,从下至上依次包括衬底,低温AlN成核层,高温AlN本征层,n型AlxGa1-xN层,AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层、p型AluGa1-uN电子阻挡层、p型GaN层。本实用新型还提供一种基于所述外延片制备的芯片。本实用新型提供的外延片和芯片选择采用具有高紫外光反射性的Al材料作为电极材料,不但可以部分消除受主型Al阳离子空位缺陷,还可将大部分紫外光反射回去。

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