针对CAD至硅背侧图像对准的可见对准标记/界标

发明专利有效专利

申请号：
CN201880067255.6
IPC分类号：H01L27/02;G01R31/311;H01L21/66;H01L23/544;H01L27/118
申请日期：
2018-08-28
申请人：
高通股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	针对CAD至硅背侧图像对准的可见对准标记/界标
申请号	CN201880067255.6	申请日期	2018-08-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-05	公开/公告号	CN111247635A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;G;0;1;R;3;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;8查看分类表>
申请人	高通股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高通股份有限公司	当前权利人	高通股份有限公司
发明人	M·D·阿尔斯顿;H·布那利姆;L·Z·V·恩德里纳尔;M·S·A·玛拉布里;L·兰加纳坦;R·F·A·G·萨勒姆
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	暂无

摘要

金属氧化物半导体(MOS)集成电路(IC)具有多个不同单元尺寸的基准标准单元。不同单元尺寸不均等地被利用。多个基准标准单元被放置为具有从统一的整体放置图案的随机偏移。基准标准单元中的每一个基准标准单元具有至少四个功率轨和各种有源区域集。功率轨在第一方向上延伸。有源区域被提供以与功率轨相邻，但与触点和互连件断开连接，并且因此不会从功率轨汲取功率。相反，有源区域是不相交的且共线的，由此创建在非有源区域的间隔之中的有源区域岛。这些非有源区域更容易允许电磁辐射穿过，由此允许对于即使具有7纳米特征尺寸的CAD至硅背侧图像对准，MOS基准标准单元是可见的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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