一种晶圆表面处理方法和表面处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011069584.X
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2020-10-09
申请人：
晶芯成（北京）科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种晶圆表面处理方法和表面处理装置
申请号	CN202011069584.X	申请日期	2020-10-09
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-11-13	公开/公告号	CN111933520A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	晶芯成（北京）科技有限公司	申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	晶芯成（北京）科技有限公司	当前权利人	晶芯成（北京）科技有限公司
发明人	陈宏玮;杨子亿
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	夏苗苗

摘要

本发明公开了一种晶圆表面处理方法和表面处理装置。所述晶圆表面处理方法包括：使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；使用第二溶液对所述晶圆进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液。基于本发明可保证光刻胶的稳定性和支撑性，避免了在该黄光制程中光刻胶出现线宽倒塌的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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