闪存的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01129355.1
IPC分类号：--
申请日期：
2001-06-13
申请人：
旺宏电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	闪存的制造方法
申请号	CN01129355.1	申请日期	2001-06-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-12-12	公开/公告号	CN1326223
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	范左鸿;蔡文哲;卢道政
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

一种闪存的制造方法，对已形成有堆栈栅的基底，以堆栈栅为掩模进行一浅接面掺杂步骤，在堆栈栅两侧的基底中形成浅接面掺杂区。接着，在基底上形成掩模层，其中掩模层覆盖在堆栈栅表面和侧壁，且裸露部分的浅接面掺杂区。然后，以掩模层为掩模，对基底进行深接面掺杂步骤，在掩模层两侧的基底中形成深接面掺杂区。最后，去除掩模层后进行一热加工，形成具有浅漏极接面以及深漏极接面的源/漏极区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供