多晶封装型发光二极管模组及高亮度照明装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201620426533.0
IPC分类号：F21K9/20;F21V23/00;F21V13/00;F21Y113/17;F21Y115/10
申请日期：
2016-05-12
申请人：
林明辉

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法律信息

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著录项信息

专利名称	多晶封装型发光二极管模组及高亮度照明装置
申请号	CN201620426533.0	申请日期	2016-05-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F21K9/20 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F2 照明；加热 F21 照明 F21K 应用荧光的非电光源；应用场致化学发光的光源；应用充填可燃材料的光源；采用半导体器件作为发光元件的光源；不包含在其他类目中的光源 F21K9/00 采用半导体器件作为发光元件的光源，例如采用发光二极管〔LED〕或激光器 F21K9/20 包含附件的光源〔2016.01〕	IPC分类号	F;2;1;K;9;/;2;0;;;F;2;1;V;2;3;/;0;0;;;F;2;1;V;1;3;/;0;0;;;F;2;1;Y;1;1;3;/;1;7;;;F;2;1;Y;1;1;5;/;1;0查看分类表>
申请人	林明辉	申请人地址	中国台湾新北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	林明辉	当前权利人	林明辉
发明人	林明辉
代理机构	北京泰吉知识产权代理有限公司	代理人	张雅军;谢琼慧

摘要

一种多晶封装型发光二极管模组及高亮度照明装置，多晶封装型发光二极管模组包含多个发光二极管裸晶、多个导接线及一基座。所述发光二极管裸晶包括两个黄光二极管裸晶及两个白光二极管裸晶，且每一个发光二极管裸晶的辐射功率介于2至6瓦特之间。所述黄光二极管裸晶通过一部分的导接线彼此串接，所述白光二极管裸晶通过另一部分的导接线彼此串接。该基座界定一直径为4至6.8毫米之间的圆形区域，供所述发光二极管裸晶固定于该圆形区域内。借此，可在有限空间安装，具有更高的光视效应和较佳的聚光效果的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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