一种CMOS红外微桥探测器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110711254.4
IPC分类号：G01J5/24
申请日期：
2021-06-25
申请人：
北京北方高业科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种CMOS红外微桥探测器
申请号	CN202110711254.4	申请日期	2021-06-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113447140A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J5/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J5/00 辐射高温测定法 G01J5/10 用电辐射检测器 G01J5/20 用对辐射敏感的电阻器，热敏电阻器或半导体〔1，2006.01〕 G01J5/22 电学特征 G01J5/24 采用专用电路，例如，桥路	IPC分类号	G;0;1;J;5;/;2;4查看分类表>
申请人	北京北方高业科技有限公司	申请人地址	北京市丰台区育仁南路1号院4号楼13层1301 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方高业科技有限公司	当前权利人	北京北方高业科技有限公司
发明人	翟光杰;潘辉;武佩;翟光强
代理机构	北京开阳星知识产权代理有限公司	代理人	安伟

摘要

本公开涉及一种CMOS红外微桥探测器，红外微桥探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，红外微桥探测器中，第一柱状结构位于反射层与梁结构之间，第二柱状结构位于吸收板与梁结构之间，第一柱状结构和第二柱状结构均为空心柱状结构，吸收板和梁结构均包括电极层和至少两层介质层，第一柱状结构和第二柱状结构均至少包括电极层。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外焦平面探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，有利于减小第一柱状结构以及第二柱状结构的热导，增加吸收板的面积，提升红外微桥探测器的红外探测灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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