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像散测试掩膜版及光刻机台的像散检测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110428527.4
  • IPC分类号:G03F1/44;G03F7/20
  • 申请日期:
    2021-04-21
  • 申请人:
    华虹半导体(无锡)有限公司
著录项信息
专利名称像散测试掩膜版及光刻机台的像散检测方法
申请号CN202110428527.4申请日期2021-04-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-03公开/公告号CN113204166A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F1/44IPC分类号G;0;3;F;1;/;4;4;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人华虹半导体(无锡)有限公司申请人地址
江苏省无锡市新吴区新洲路30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华虹半导体(无锡)有限公司当前权利人华虹半导体(无锡)有限公司
发明人栾会倩;吴长明;姚振海
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人罗雅文
摘要
本申请公开了一种像散测试掩膜版及光刻机台的像散检测方法,涉及半导体制造领域。该光刻机台的像散检测方法包括在晶圆表面涂布光刻胶;利用像散测试掩膜版和待测光刻机台对所述晶圆进行曝光,像散测试掩膜版上布满像散测试标记,像散测试掩膜版的大小与待测光刻机台的最大曝光区域的大小相同;对曝光后的晶圆进行显影;利用套刻机台测量所述晶圆表面形成的测试图形的套刻值;根据套刻值与焦距变化量之间的对应关系,确定所述待测光刻机台对应不同曝光位置的像散值;解决了目前光刻机台的像散检测复杂的问题;达到了简便地测量光刻机台的像散的效果。

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