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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

增强型CMOS传感器发光二极管单元结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810555754.1
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2018-05-31
  • 申请人:
    广州锋尚电器有限公司
著录项信息
专利名称增强型CMOS传感器发光二极管单元结构
申请号CN201810555754.1申请日期2018-05-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-11-06公开/公告号CN108766973A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人广州锋尚电器有限公司申请人地址
广东省广州市番禺区洛浦街南浦碧桂园大道三号恒达商务中心A座7层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广州锋尚电器有限公司当前权利人广州锋尚电器有限公司
发明人楚双印;李俊友;谢涛;邢美立
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种增强型CMOS传感器发光二极管单元结构,包括一P型基底,P型基底的上表面开设有一倒圆锥型槽;一N型掺杂层,形成在倒圆锥型槽的表面;一P型掺杂层,形成在N型掺杂层的表面,P型掺杂层的上端面与N型掺杂层的上端面以及P型基底的上表面平齐;一氮化层,形成在P型掺杂层的表面以及形成在相互平齐的P型掺杂层上端面、N型掺杂层上端面、和P型基底上表面的表面,并构成倒圆锥型部分和倒圆锥型部分上端外围的平面部分;一氧化层,形成在氮化层的倒圆锥型部分和平面部分的表面;二金属电极,其中一金属电极与N型掺杂层接触,另一金属电极与P型掺杂层接触。本发明能够增强量子转换效率,降低成本。

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