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半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02141653.2
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2002-09-09
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件
申请号CN02141653.2申请日期2002-09-09
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2004-03-17公开/公告号CN1482492
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路肖庄 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人邱伟彬;王圩
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
一种半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件,该器件包括:一n型重掺杂磷化铟衬底;一负电极,该负电极制作在衬底下方;一n型掺杂磷化铟缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一有源器件,该有源器件制作在缓冲层上;一p型磷化铟盖层,该盖层制作在有源器件上;一p型重掺杂磷化铟接触层,该接触层制作在盖层上;一模斑转换器,该转换器制作在有源器件的入光端和输出端;一二氧化硅/二氧化钛增透膜,该增透膜制作在器件的输入和输出端;一正电极,该正电极制作在接触层的上方。

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