隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200620006680.9
IPC分类号：H01L21/205;H01L21/22;H01L21/324;H01L21/00;H01L21/67;C23C16/00
申请日期：
2006-03-31
申请人：
株式会社日立国际电气

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著录项信息

专利名称	隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置
申请号	CN200620006680.9	申请日期	2006-03-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/205 应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;C;2;3;C;1;6;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社日立国际电气	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立国际电气	当前权利人	株式会社日立国际电气
发明人	杉浦忍;立野秀人;村田等
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	黄剑锋

摘要

一种隔热壁体，防止发热体的卡挂，将发热体的变形防止于未然。在设有发热体(42)的安装槽(40)的侧壁上设有倾斜的锥面(40b、40c)，该锥面(40b、40c)是朝着隔热壁体(33)的中心方向而远离发热体(42)。在随着热膨胀而发热体(42)在安装槽(40)内向半径方向外侧移动时，能够防止发热体(42)被卡在安装槽(40)的锥面(40b、40c)上，所以即使发热体(42)降温而收缩，发热体(42)也能够在安装槽(40)内向半径方向内侧移动而返回到原位置。通过防止发热体的伴随着热膨胀及热收缩的变形，能够将伴随着发热体的热膨胀及热收缩而发生的发热体的断裂防止于未然，所以能够延长发热体的寿命。

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