离子植入机以及监测离子植入机中离子束的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201910324810.5
IPC分类号：H01J37/317;H01J37/244
申请日期：
2019-04-22
申请人：
德淮半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	离子植入机以及监测离子植入机中离子束的方法
申请号	CN201910324810.5	申请日期	2019-04-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-26	公开/公告号	CN110060913A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/317 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/317 用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;3;7;/;2;4;4查看分类表>
申请人	德淮半导体有限公司	申请人地址	江苏省淮安市淮阴区长江东路599号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德淮半导体有限公司	当前权利人	德淮半导体有限公司
发明人	蒋亚伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	薛异荣;吴敏

摘要

一种离子植入机以及监测离子植入机中离子束的方法，方法包括：提供离子植入机；将晶圆放置于所述第一面；在离子源发射离子束的过程中，晶圆托盘承载着晶圆在植入区域中沿第二方向移动并经过延展区，第二方向垂直于第一方向，第二面朝向离子源，盘中心轴垂直于第二方向，第一测温区的中心至第二测温区的中心的连线平行于第一方向；在离子源发射离子束的过程中，采用束流测试仪实时测试离子束的束流值；获取第一测温仪所测温度和第二测温仪所测温度之间的温差信息；根据所述束流值以及所述温差信息判断离子束的束流稳定性是否符合要求。所述方法监测离子束的束流稳定性的精度提高。

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