首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

具有低串扰的PMOS像素结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780023065.6
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2007-03-23
  • 申请人:
    伊斯曼柯达公司
著录项信息
专利名称具有低串扰的PMOS像素结构
申请号CN200780023065.6申请日期2007-03-23
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-07-01公开/公告号CN101473441
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H01L27/146查看分类表>
申请人伊斯曼柯达公司申请人地址
美国加利福*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人豪威科技股份有限公司当前权利人豪威科技股份有限公司
发明人E·G·斯蒂芬斯;H·科莫里
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人李娜;王忠忠
摘要
一种图像传感器,该图像传感器具有包含多个像素的图像区,该多个像素的每一个具有第一导电类型的光电探测器,该图像传感器包括:第一导电类型的衬底;第二导电类型的第一层,位于该衬底和该光电探测器之间,跨过该图像区,且相对于该衬底被偏置在预定电势用于将过剩载流子驱入该衬底内以减小串扰;一个或多个相邻有源电子部件,布置于每一个像素内的该第一层中;以及电子电路,布置于该图像区外部的该衬底中。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供