集成电路连接器存取区域及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210378242.5
IPC分类号：H01L23/528;H01L21/768
申请日期：
2012-10-08
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	集成电路连接器存取区域及其制造方法
申请号	CN201210378242.5	申请日期	2012-10-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-09	公开/公告号	CN103715174A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	陈士弘
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种集成电路连接器存取区域及其制造方法。集成电路装置的连接器存取区域包括一组朝一第一方向延伸的平行导体以及多个层间连接器。这些导体包括一组位于不同导体上的导电接触区域，这些导电接触区域定义一接触平面，导体延伸在接触平面下方。一组接触区域定义一条与第一方向夹出一斜角(例如小于45°或5°至27°)的线。层间连接器是与接触区域电性接触，并延伸在接触平面上方。至少某些层间连接器伏在邻接于接触区域的导电体上面，但与邻接于接触区域的导电体电性地隔离，层间连接器是与接触区域电性接触。此组平行导体可包括一组导电层，其中接触平面大致垂直于导电层。

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