硼酸钆锶激光晶体及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03145682.0
IPC分类号：C30B29/22;C30B15/00
申请日期：
2003-07-10
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硼酸钆锶激光晶体及其制备方法
申请号	CN03145682.0	申请日期	2003-07-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-01-19	公开/公告号	CN1566413
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	王国富;潘建国;林州斌;胡祖树;张莉珍
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及人工晶体领域，特别是涉及激光晶体掺钕硼酸钆锶(Nd3+:Sr3Gd(BO3)3)和掺镱硼酸钆锶(Yb3+:Sr3Gd(BO3)3)及其制备方法。该晶体属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为a＝12.521，c＝9.255，V＝12523，Z＝6，密度4.67g/cm3；折射率为1.73。采用提拉法(Czochralski方法)生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:Sr3Gd(BO3)3和Yb3+:Sr3Gd(BO3)3晶体，其生长条件为生长温度约1320℃，晶体转速10-15转/分钟，提拉速度0.5-1.0毫米/小时。它们适合于采用激光二极管(LD)来泵浦。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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