一种超高真空内气体电离装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910838892.5
IPC分类号：C23C16/50;C23C16/28
申请日期：
2019-09-05
申请人：
昆明理工大学

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著录项信息

专利名称	一种超高真空内气体电离装置
申请号	CN201910838892.5	申请日期	2019-09-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-17	公开/公告号	CN110699673A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/50 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;2;3;C;1;6;/;2;8查看分类表>
申请人	昆明理工大学	申请人地址	云南省昆明市一二一大街文昌路68号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明理工大学,云天化集团有限责任公司	当前权利人	昆明理工大学,云天化集团有限责任公司
发明人	卢建臣;许望伟;蔡金明
代理机构	成都东恒知盛知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	何健雄;廖祥文

摘要

本发明涉及一种超高真空内气体电离装置，将气体传输到超高真空腔体内并用热电离的方式将气体分子电离。该装置由气体导管、电加热丝、绝缘片、螺杆、电源线、四通腔体、直线导入器组成。电加热丝固定在绝缘片上，绝缘片固定在螺杆上，螺杆与直线导入器相连接。通过直线导入器，可以使电加热丝沿螺杆方向自由移动，进而控制加热丝与目标样品的距离。电源线一端连接电加热丝，一端连接在法兰的电极接线柱上，外接直流源通过电极接线柱为加热丝供电。使用装置时，通过直线导入器移动电加热丝至气体导管口附近，接通电源加热电加热丝，电加热丝达到使用温度后，通过气体导管导入气体，气体分子被高温电加热丝热电离成原子或离子。

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