一种有序排布金刚石微纳米锥阵列工具的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010210732.9
IPC分类号：C23C16/27;C23C16/56;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/04;C01B32/26;C01B32/28
申请日期：
2020-03-24
申请人：
南京航空航天大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种有序排布金刚石微纳米锥阵列工具的制备方法
申请号	CN202010210732.9	申请日期	2020-03-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-07	公开/公告号	CN111378956A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/27 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/26 仅沉积碳〔4〕 C23C16/27 仅沉积金刚石〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;2;7;;;C;2;3;C;1;6;/;5;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;4;;;C;0;1;B;3;2;/;2;6;;;C;0;1;B;3;2;/;2;8查看分类表>
申请人	南京航空航天大学	申请人地址	江苏省南京市秦淮区御道街29号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京航空航天大学	当前权利人	南京航空航天大学
发明人	徐锋;孙烁;施莉莉;赵延超;刘宇;左敦稳
代理机构	南京天华专利代理有限责任公司	代理人	瞿网兰

摘要

一种有序排布金刚石微纳米锥阵列工具的制备方法，其特征是通过在衬底上沉积纳米金刚石薄膜，使用超短脉冲激光等方法制备孔径与位置可控的微孔阵列溅射掩膜板，使用磁控溅射设备通过微孔阵列掩膜板在纳米金刚石薄膜上沉积有序排布的金属掩膜点阵列。使用微波化学气相沉积（MPCVD）等设备对衬底加热使金属掩膜点液化并收缩成掩膜点球，并刻蚀出具有一定前倾角的微锥阵列，从而制备出形貌、尺寸、倾角可控的有序排布的微锥阵列的金刚石工具。本发明加工工艺简单、操作容易、成本低、高精度、高效率的特点。

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