掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910099995.0
IPC分类号：C30B28/06;C30B29/06
申请日期：
2009-06-24
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法
申请号	CN200910099995.0	申请日期	2009-06-24
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-09	公开/公告号	CN101597791
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/04 由液态制备〔5〕 C30B28/06 正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	杨德仁;余学功;阙端麟
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司	代理人	胡红娟

摘要

本发明公开了一种掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法，利用便宜的氮气取代昂贵的氩气作为保护气体，实现低成本定向凝固铸造多晶硅；同时，由于在氮气气氛下进行融硅和铸造，实现在多晶硅中掺入氮，得到掺氮铸造多晶硅，提高了铸造多晶硅的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本。本发明的铸造多晶硅含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓和磷，还含有浓度为1×1013～5×1015/cm3的氮。

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