半导体装置及制造半导体装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010433142.2
IPC分类号：H01L25/065;H01L21/98;H01L23/48;H01L21/50
申请日期：
2020-05-21
申请人：
安靠科技新加坡控股私人有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及制造半导体装置的方法
申请号	CN202010433142.2	申请日期	2020-05-21
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-24	公开/公告号	CN111987078A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/065 包含在H01L 27/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	安靠科技新加坡控股私人有限公司	申请人地址	新加坡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安靠科技新加坡控股私人有限公司	当前权利人	安靠科技新加坡控股私人有限公司
发明人	郑季洋;李在河;裴炳日
代理机构	北京寰华知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

半导体装置及制造半导体装置的方法。一种电子装置结构包含衬底，衬底有邻近于表面的导电结构。导电结构包含多个导电衬垫。第一和第二电子装置安置成邻近于顶表面。第一电子装置插置于第一与第二导电衬垫之间，且第二电子装置插置于第二与第三导电衬垫之间。包含第一键合结构的连续导线结构连接到第一导电衬垫，第二键合结构连接到第二导电衬垫，第三键合结构连接到第三导电衬垫，第一导线部分互连于第一与第二键合结构之间且安置成覆于第一电子装置上方，且第二导线部分互连于第二与第三键合结构之间且安置成位于第二电子装置上方。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供