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一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010570087.8
  • IPC分类号:H01L31/07;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18
  • 申请日期:
    2010-11-24
  • 申请人:
    刘莹
著录项信息
专利名称一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法
申请号CN201010570087.8申请日期2010-11-24
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-05-30公开/公告号CN102479864A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/07
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人刘莹申请人地址
江苏省宜兴市陶都路8号7号楼418室朱炼转刘莹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人刘莹当前权利人刘莹
发明人刘莹
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法,其结构为:以超白玻璃为衬底,其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜,薄膜上设一层N型多晶硅薄膜,其上设栅状或梳状铝电极,在多晶硅薄膜内部设由铝电极渗透到多晶硅薄膜内形成的栅状或梳状肖特基PN结。本发明还公开了制备方法:清洁衬底,依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化薄膜,以液相外延或真空镀膜的方式镀制N型多晶硅薄膜,然后印刷栅状或梳状引出电极,用强激光照射铝负极使部分铝渗入多晶硅薄膜内部形成栅状或梳状肖特基结,最后烧结。由于PN结为栅状或梳状,有效PN结长度增加,比传统结构的太阳多晶硅薄膜电池提高了转化效率,同时简化了生产过程。

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