刻蚀方法及三维存储器的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010981693.2
IPC分类号：H01L21/311;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
申请日期：
2020-09-17
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	刻蚀方法及三维存储器的制作方法
申请号	CN202010981693.2	申请日期	2020-09-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-11	公开/公告号	CN112071755A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/311 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3105 后处理〔5〕 H01L21/311 绝缘层的刻蚀〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	罗兴安;张高升;董洪旺;陈松超
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种刻蚀方法及三维存储器的制作方法，本发明技术方案，对于所述半导体结构，先形成覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分和所述侧壁的第一介质层，然后再形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层具有不同的刻蚀属性，故通过第一刻蚀，可以去除所述侧壁上的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层，然后通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的第一介质层，从而能够准确的刻蚀去除所述侧壁上的所述第一介质层和所述第二介质层，避免过刻蚀或是刻蚀不足的问题，同时能够使得所述第一平面部分和所述第二平面部分上均能够保留所述第一介质层以及部分所述第二介质层。

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