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一种中红外光探测器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910255738.5
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18
  • 申请日期:
    2019-04-01
  • 申请人:
    南京邮电大学
著录项信息
专利名称一种中红外光探测器及其制备方法
申请号CN201910255738.5申请日期2019-04-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-07-23公开/公告号CN110047957A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人南京邮电大学申请人地址
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京邮电大学当前权利人南京邮电大学
发明人郑加金;张勇;李霄兰;徐香;刘晨昕;聂娟;余柯涵;韦玮
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司代理人范丹丹
摘要
本发明揭示了一种中红外光探测器及其制备方法,该光探测器包括单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极;所述单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极均布设在一PVC衬底基片上。该器件由周期性的纳米光栅阵列构成,其对入射光束的耦合作用可以有效地改善石墨烯光电探测器件弱光吸收的缺点,且制备得到的光电探测器对中红外波段的光谱有明显的吸收,有较高的光响应率。

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