晶圆级带TSV通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710512423.5
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02
申请日期：
2017-06-29
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	晶圆级带TSV通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法
申请号	CN201710512423.5	申请日期	2017-06-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-14	公开/公告号	CN107346755A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;7;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	当前权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人	戴风伟;张文奇
代理机构	上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张东梅

摘要

本发明公开了一种晶圆清洗装置，包括：清洗台，所述清洗台包括用于支撑待清洗的晶圆的支撑面、与所述支撑面连通的废液收集腔体，所述废液收集腔体用于收集并容纳清洗废液，所述废液收集腔体具有废液出口，用于将所述废液收集腔内的废液排出；晶圆固定装置，所述晶圆固定装置将待清洗的晶圆固定在所述清洗台的支撑面上，其中所述晶圆固定装置包括载片，所述载片具有多个孔，所述待清洗的晶圆与载片层叠在一起，使得待清洗的晶圆上TSV通孔与载片上的孔连通，形成清洗液的流动通道；清洗液释放装置，所述清洗液喷嘴朝向待清洗的晶圆；以及废液排出装置，用于迫使清洗液从待清洗的晶圆上的TSV通孔内流过。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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