发光设备及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02158444.3
IPC分类号：H01L51/52;H01L27/32
申请日期：
2002-11-08
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	发光设备及其制造方法
申请号	CN02158444.3	申请日期	2002-11-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-09	公开/公告号	CN1429055
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/52 器件的零部件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;村上智史;坂仓真之;高山彻
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

本发明的目的是提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。根据本发明的发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：栅电极上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上形成的阳极层，第二有机绝缘层和阳极层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在阳极层上有开口的第四无机绝缘层，与阳极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阴极层，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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