一种改善银电化学迁移的Ag-Si纳米焊膏的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811164514.5
IPC分类号：B23K35/30
申请日期：
2018-10-06
申请人：
天津大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种改善银电化学迁移的Ag-Si纳米焊膏的制备方法
申请号	CN201811164514.5	申请日期	2018-10-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-29	公开/公告号	CN109277722A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23K35/30 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23K 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工（用金属的挤压来制造金属包覆产品入B21C 23/22；用铸造方法制造衬套或包覆层入B22D 19/08；用浸入方式的铸造入B22D 23/04；用烧结金属粉末制造复合层入B22F 7/00；机床上的仿形加工或控制装置入B23Q；不包含在其他类目中的包覆金属或金属包覆材料入C23C；燃烧器入F23D） B23K35/00 用于钎焊、焊接或切割的焊条、电极、材料或介质 B23K35/22 以材料的成分和性质为特征的 B23K35/24 钎焊材料和焊接材料的适当选择（B23K 35/34优先） B23K35/30 主要成分在1550℃以下熔化	IPC分类号	B;2;3;K;3;5;/;3;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	梅云辉;李丹;李欣;陆国权
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	李素兰

摘要

本发明涉及一种改善银电化学迁移的Ag‑Si纳米焊膏的制备方法；将平均颗粒尺寸为15～100nm的硅颗粒与稀释剂通过超声水浴充分混合；将硅颗粒和稀释剂的混合物加入到平均颗粒尺寸为50～500nm的纳米银焊膏中并通过搅拌制得Ag‑Si纳米焊膏；发明的Ag‑Si纳米焊膏中硅易转化为二氧化硅，促使银离子化所需氧的含量也降低，有效改善银的电迁移。将制得的Ag‑Si纳米焊膏和商业纳米银焊膏分别以5℃/min的加热速率在280℃烧结，保温30min后炉冷，在400℃的高温条件下，施加200V的电压进行电迁移实验。结果证明Ag‑Si纳米焊膏的失效寿命相比纳米银焊膏至少提高了5.83倍。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供