一种原子层沉积修饰的锂离子电池及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610957447.7
IPC分类号：--
申请日期：
2016-11-03
申请人：
上海空间电源研究所

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著录项信息

专利名称	一种原子层沉积修饰的锂离子电池及其制备方法
申请号	CN201610957447.7	申请日期	2016-11-03
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-08	公开/公告号	CN106384838A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海空间电源研究所	申请人地址	上海市闵行区东川路2965号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海空间电源研究所	当前权利人	上海空间电源研究所
发明人	顾海涛;周欣彬;谢朝香;简德超;田文生;王可
代理机构	上海航天局专利中心	代理人	金家山

摘要

本发明公开了一种原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）修饰的锂离子电池及其制备方法，本发明公开的原子层沉积修饰的锂离子电池正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成；或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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