加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

无短路损耗的CMOS缓冲器驱动电路

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810070893.1
  • IPC分类号:H02M1/08;H03K19/00
  • 申请日期:
    2008-04-15
  • 申请人:
    福州大学
著录项信息
专利名称无短路损耗的CMOS缓冲器驱动电路
申请号CN200810070893.1申请日期2008-04-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-12-17公开/公告号CN101325362
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M1/08IPC分类号H;0;2;M;1;/;0;8;;;H;0;3;K;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人福州大学申请人地址
福建省福州市工业路523号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福州大学当前权利人福州大学
发明人林维明
代理机构福州元创专利商标代理有限公司代理人蔡学俊
摘要
本发明涉及一种无短路损耗的CMOS缓冲器驱动电路,所述的CMOS缓冲器由N型MOS管和P型MOS管互补控制构成本级缓冲器;驱动电路由三级、5个CMOS缓冲器组成;将三级CMOS缓冲器初级与控制逻辑电路输出连接,末级与功率电路中功率半导体开关器件控制端连接,在开关变换器功率半导体开关器件与控制逻辑电路之间通过CMOS缓冲器构成的驱动电路实现控制逻辑弱电信号与功率电路强电状态的转换。本发明的创新点是:在开关变换器功率半导体开关器件与控制逻辑电路之间,建立了一个具有无短路损耗、高效率的强弱电接口和驱动方法。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供