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半导体光源及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110454044.8
  • IPC分类号:F21S2/00;F21V29/00;F21V17/10;F21Y101/02
  • 申请日期:
    2011-12-20
  • 申请人:
    许富昌
著录项信息
专利名称半导体光源及其制造方法
申请号CN201110454044.8申请日期2011-12-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-06-26公开/公告号CN103174983A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号F21S2/00IPC分类号F;2;1;S;2;/;0;0;;;F;2;1;V;2;9;/;0;0;;;F;2;1;V;1;7;/;1;0;;;F;2;1;Y;1;0;1;/;0;2查看分类表>
申请人许富昌申请人地址
广东省深圳市南山区桃园西路桃李花园1栋3-806 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人许富昌当前权利人许富昌
发明人许富昌
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开一种半导体光源及其制造方法。其中,所述半导体光源包括:由铝基材一体成型的散热体,其具有开口端和收口端,且从收口端朝同一个方向延伸设置若干散热鳍片,相邻两个散热鳍片之间有间隙;散热体的收口端上固定有灯头;散热体的开口端上设有线路板,线路板的上表面设有至少一个与驱动电路板电性连接的半导体发光体。本发明通过具有多个散热鳍片的散热体,将半导体发光体在工作时产生的热量快速进行散热,从保证在工作状态下半导体发光体的稳定性;且散热体是由铝基材一体冲压制成,具有结构简单和制作简单的优点。

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