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平面栅超级结器件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710003938.2
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2017-01-04
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称平面栅超级结器件的制造方法
申请号CN201710003938.2申请日期2017-01-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-06-13公开/公告号CN106847897A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人李昊;赵龙杰
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭四华
摘要
本发明公开了一种平面栅超级结器件的制造方法,包括步骤:形成超级结;形成场氧化层;在场氧化层中进行氩离子注入;形成定义有源区的光刻胶图形;对场氧化层进行湿法刻蚀,湿法刻蚀使场氧化层在有源区边界处形成平缓的倾斜侧面;去除光刻胶图形,形成牺牲氧化层并湿法去除;生长栅氧化层和多晶硅层,多晶硅层会沿场氧化层的倾斜侧面爬坡且不形成隆起结构。本发明能够消除多晶硅栅在场氧化层的倾斜侧面爬坡时形成的隆起结构,从而能提高器件的良率和可靠性。

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