LDS工艺的LTE天线

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201420631213.X
IPC分类号：H01Q1/38;H01Q5/00
申请日期：
2014-10-28
申请人：
普尔信通讯科技（深圳）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	LDS工艺的LTE天线
申请号	CN201420631213.X	申请日期	2014-10-28
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/36 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形（H01Q 1/08，H01Q 1/14优先） H01Q1/38 在绝缘支架上由导电层构成的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;5;/;0;0查看分类表>
申请人	普尔信通讯科技（深圳）有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区沙河西路3011号白沙物流公司仓库之二4楼E区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	普尔信通讯科技（深圳）有限公司	当前权利人	普尔信通讯科技（深圳）有限公司
发明人	牛兴刚;张中俊;江勇
代理机构	深圳市精英专利事务所	代理人	任哲夫

摘要

本实用新型提供了一种LDS工艺的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点和寄生馈点；所述接地馈点与第一辐射单元相连，信号输入馈点连接有第二辐射单元，寄生馈点3连接有寄生辐射单元。本实用新型的有益效果在于：应用本实用新型天线设计方案可有效利用支架或壳体面积，较少了生产工序，整体降低产品不良率，间接地节约了成本，且将天线拓宽至4G频段，可实现低频824～960MHZ，高频1710～2620MHZ下的通讯应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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