氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体

发明专利有效专利

申请号：
CN201980056250.8
IPC分类号：C30B29/38;C30B25/04
申请日期：
2019-08-22
申请人：
赛奥科思有限公司;住友化学株式会社

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专利名称	氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体
申请号	CN201980056250.8	申请日期	2019-08-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-09	公开/公告号	CN112639179A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/38 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/38 氮化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;C;3;0;B;2;5;/;0;4查看分类表>
申请人	赛奥科思有限公司;住友化学株式会社	申请人地址	日本茨城县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	赛奥科思有限公司,住友化学株式会社	当前权利人	赛奥科思有限公司,住友化学株式会社
发明人	吉田丈洋
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

本发明具有如下工序：准备基底基板的工序；在基底基板的主面上形成具有多个开口部的掩膜层的工序；第一工序，使表面仅由倾斜界面构成的第一层在基底基板的主面上生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，通过使单晶的顶面产生多个凹部，使(0001)面消失，从而在掩膜层的多个开口部之中的各1个开口部的上方形成至少1个谷部和多个顶部，观察与主面垂直的任意截面时，夹着1个谷部的多个顶部之中最接近的一对顶部彼此在沿着主面的方向上间隔的平均距离设为超过100μm。

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