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一种半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201420814078.2
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36
  • 申请日期:
    2014-12-19
  • 申请人:
    成都士兰半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件
申请号CN201420814078.2申请日期2014-12-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人成都士兰半导体制造有限公司申请人地址
四川省成都市金堂县成都—阿坝工业集中发展区内 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都士兰半导体制造有限公司当前权利人成都士兰半导体制造有限公司
发明人杨彦涛;赵金波;江宇雷;陈文伟;杨雪
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本实用新型提供了一种半导体器件,在特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后,采用与半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散,所述液态掺杂源覆盖阻挡层表面,并在沟槽周围的半导体衬底中形成与半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区,无需采用工艺复杂、技术难度较大的常规外延掺杂工艺,降低了工艺难度。另外,本实用新型在形成掺杂区后,采用填充性较佳的介质材料进行沟槽填充,有利于形成没有缝隙或空洞的填充层,使沟槽内部填充没有缺陷,降低了对沟槽刻蚀工艺的要求,保证器件的高压性能和可靠性要求。

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