一种垂直结构LED芯片的凸点键合结构及工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201310665416.0
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/62
申请日期：
2013-12-10
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	一种垂直结构LED芯片的凸点键合结构及工艺
申请号	CN201310665416.0	申请日期	2013-12-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-02	公开/公告号	CN103700752A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	云峰;郭茂峰
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	徐文权

摘要

本发明公开了一种垂直结构LED芯片的凸点键合结构及工艺，凸点键合结构包括外延片、衬底和凸点阵列结构；凸点阵列结构设置于外延片和衬底之间；所述外延片上设有一层金属镀层，所述凸点阵列结构一端与所述金属镀层键合，另一端连接所述衬底；或者，所述衬底上设有一层金属镀层，所述凸点阵列结构一端与所述金属镀层键合，另一端连接所述外延片；凸点阵列结构中填充有丙烯酸类或环氧类树脂。本发明中衬底与外延片键合后形成“占空比结构”键合层，填充键合层后形成稳定键合结构，从而降低外延层与衬底之间的应力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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