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一种电光开关或光衰减器

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201220020990.1
  • IPC分类号:G02F1/025;G02F1/01
  • 申请日期:
    2012-01-17
  • 申请人:
    上海硅通半导体技术有限公司
著录项信息
专利名称一种电光开关或光衰减器
申请号CN201220020990.1申请日期2012-01-17
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/025IPC分类号G;0;2;F;1;/;0;2;5;;;G;0;2;F;1;/;0;1查看分类表>
申请人上海硅通半导体技术有限公司申请人地址
上海市杨浦区国定路335号2号楼1602室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海硅通半导体技术有限公司当前权利人上海硅通半导体技术有限公司
发明人李冰;王晓黎;陈彦青;张宗锁
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种电光开关或光衰减器,包括一个由并行的第一波导臂和第二波导臂构成的MZI结构,所述第一波导臂和第二波导臂均包括一个波导电容器结构。所述第一波导臂外接第一电信号源,所述第二波导臂外接第二电信号源。在外接电信号源作用下,所述第一波导臂的脊波导的本征区有较大量载流子注入,而所述第二波导臂的脊波导的本征区无注入载流子或较少量载流子注入;所接电信号源同时在两个波导臂引起温度变化,在所述第二波导臂所引起的温度变化和第一波导臂相同或无限接近。本实用新型公开的电光开关或光衰减器能减小由于两条波导臂温度差异所引起的热效应下折射率的变化差异,提高器件效率。

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