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层间介电层平坦化制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98116851.5
IPC分类号：--
申请日期：
1998-08-04
申请人：
世大积体电路股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	层间介电层平坦化制造方法
申请号	CN98116851.5	申请日期	1998-08-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-12-22	公开/公告号	CN1239318
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	世大积体电路股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	罗吉进;李弘名
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。

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