一种解决薄膜剥落的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310011946.3
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2013-01-14
申请人：
陆伟

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著录项信息

专利名称	一种解决薄膜剥落的方法
申请号	CN201310011946.3	申请日期	2013-01-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-01	公开/公告号	CN103077884A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	陆伟	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司	当前权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人	李平
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司	代理人	杨立

摘要

本发明涉及半导体制造领域，具体的是一种解决薄膜剥落的方法。包括以下步骤：步骤一：在晶圆的上表面淀积一层氧化层；步骤二：在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层；步骤三：在所述高介质层的上表面淀积一层抗反射层，所述抗反射层即钽的氧化物，如氧化钽，淀积所述抗反射层使用的射频发生器的功率为1000～2000W。现有工艺使用的射频发生器的功率4000～6000W，由于RF（RadioFrequency）射频功率与薄膜应力表现出较强的相关性，本发明优化了该工艺参数，减少了抗反射层与底部之间的界面应力，在现实生产中可以有效避免抗反射层脱落的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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