一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310731228.3
IPC分类号：C25D3/48;C25D7/12;C25D19/00;C25D21/10
申请日期：
2013-12-26
申请人：
中国电子科技集团公司第五十五研究所

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专利名称	一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法
申请号	CN201310731228.3	申请日期	2013-12-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-23	公开/公告号	CN103741179A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D3/48 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D3/00 电镀；其所用的镀液〔2〕 C25D3/02 溶液（C25D 5/24至C25D 5/32优先）〔2〕 C25D3/48 金的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;3;/;4;8;;;C;2;5;D;7;/;1;2;;;C;2;5;D;1;9;/;0;0;;;C;2;5;D;2;1;/;1;0查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	申请人地址	江苏省南京市白下区瑞金路街道中山东路524号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人	贾世星;姜理利;张龙;朱健
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	柏尚春

摘要

本发明公开了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置，包括石英缸、在石英缸内装有电镀液，在电镀液中放置两块通过导线连接的金板，在两块金板的之间固定一块硅片，在硅片的正面与反面之间设有通孔，在两块金板之间还设有磁力搅拌棒，金板与硅片分别与直流电源连接，其中直流电源的阳极与金板连接，直流电源的阴极与硅片连接。本发明还提供了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金方法。本发明中电镀金装置的阳极采用两块对称的金板组成，同时采用磁力搅拌棒进行顺时针、逆时针定时双向运动，搅拌电镀液，使得电镀液分布均匀，通孔附近的电镀液得到及时补充，能实现一定厚度的硅片的正面、背面及通孔的均匀电镀；有效提高电镀的均匀性及效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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