带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN00122233.3
IPC分类号：--
申请日期：
1991-12-06
申请人：
国际商业机器公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管
申请号	CN00122233.3	申请日期	1991-12-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-11-21	公开/公告号	CN1323070
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司	当前权利人	国际商业机器公司
发明人	贝德诺茨·J·乔治;曼哈特·J·迪特尔;米勒·C·亚历山大
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

本发明的场效应晶体管由作为栅极的导电性基底(2)、一个绝缘势垒层(3)和势垒层(3)上的一个超导沟道层(1)所组成。超导层(1)附装着一对相距一定距离的电极(4，5)，分别构成源极和漏极，基底上设有一个适当的栅极接点。基底(2)由与势垒层(2)属于同一结晶体群的材料所构成。在本发明的一个最佳实施例中，基底(2)是一个掺铌的钛酸锶，势垒层(3)是一个无掺杂元素的钛酸锶，超导体(1)是一个薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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